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Transforming g-C3N4 from amphoteric to n-type semiconductor: The important role of pin type on photoelectrochemical cathodic protection 期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2021, 卷号: 851, 页码: 9
作者:  Jing, Jiangping;  Chen, Zhuoyuan;  Feng, Chang;  Sun, Mengmeng;  Hou, Jian
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Graphitic carbon nitride  Photoelectrochemical cathodic protection  p/n type  Doping  Photocurrent direction