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一种缓释型青霉素阴离子插层水滑石材料及其制备和应用 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201110290535.3, 申请日期: 2012-06-20, 公开日期: 2012-06-20
发明人:  王毅;  张盾
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m3+为al3+、cr3+、fe3+、v3+、co3+、ga3+或ti3+的三价金属离子  一种缓释型青霉素阴离子插层水滑石材料  m2+/m3+的摩尔比为1.6～4.5  其特征在于：所述水滑石材料化学组成通式为[m2+1?X+m3+X+(Oh)2]X++(C16h17n2o4s??)X+·nh2o  0.2≤x≤0.4。  m2+为mg2+、zn2+、ni2+、fe2+或mn2+的二价金属离子  
一种缓释型苯甲酸根阴离子插层水滑石碳钢防腐蚀材料及其制备和应用 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201110041730.2, 申请日期: 2011-08-03, 公开日期: 2011-08-03
发明人:  王毅;  张盾
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m2+/m3+的摩尔比为1.6～4.5  一种缓释型苯甲酸根阴离子插层水滑石碳钢防腐蚀材料  0.2≤x≤0.4。  其特征在于：所述防腐蚀材料化学组成通式为[m2+1?X+m3+X+(Oh)2]X++(C6h5coo??)X+·nh2o  m2+代表二价金属离子mg2+、zn2+、ni2+、fe2+、mn2+中的任何一种  m3+代表三价金属离子al3+、cr3+、fe3+、v3+、co3+、ga3+、ti3+中的任何一种